На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

Хайтек+

23 подписчика

Свежие комментарии

  • Иван Вакула
    В России после распада СССР и стараниями либеральной власти образование перевели на западные методики, что из этого п...Различия в успева...
  • Aleksandr Antonov
    Мы 33 цивилизация на земле, так что не надо, люди вобще появились более 1000000 назад. Но не однократно уничтожали ь ...Заселение Северно...

Разработаны передовые сегнетоэлектрические транзисторы

Надежное и эффективное хранение данных при низком потреблении энергии требует, материалов, обладающих свойством спонтанной поляризации в отсутствии внешнего электрического поля. Вдобавок они должны быть уменьшены до двухмерного состояния. Двухмерные полупроводники, обладающие качеством сегнетоэлектриков, считаются наиболее подходящими для устройств вычисления в оперативной памяти.

Ученые из Национального педагогического университета и ряда других вузов Тайваня разработали рабочую стратегию достижения смещения электрической поляризации в дисульфиде молибдена (MoS2), материале для создания сегнетоэлектрических транзисторов для вычислений в оперативной памяти, https://phys.org/news/2023-12-team-transistors-ferroelectric... Phys.org. Главной задачей их исследования была идентификация методов прямого синтеза эпитаксиальных MoS2. Технология, которую они обнаружили, позволила им в конечном счете создать новые ферроэлектрические транзисторы с передовыми технологиями.

Смещение сегнетоэлектриков возникает в атомных вандерваальсовых слоях, сдвигающихся по отношению друг к другу, которые генерируют перенос заряда между слоями. Таким образом, возникает изменение поляризации.

Ученые испытали экспериментальные образцы сегнетоэлектрических транзисторов в серии тестов и убедились в их высоком потенциале для вычислений в оперативной памяти. Устройства демонстрируют среднее окно памяти в 7 В с приложенным напряжением 10 В, временем хранения информации более 10 в четвертой степени секунд и долговечностью более 10 в четвертой степени циклов.

«При толщине около двух слоев атомов это устройство соответствует требованиям современных КМОП, к примеру, узлам размером менее 3 нм», - сказал Тило Ян, один из соавторов совместной статьи.

Предложенная им и его коллегами стратегия может лечь в основу будущих высокопроизводительных вычислительных устройств.

Microsoft пересмотрела назначение проекта Silica, в рамках которого большие объемы данных предлагается хранить на стеклянных пластинках. Теперь он рассматривается как устойчивое решение для облачного хранения данных. Используя технологию Silica, можно https://hightech.plus/2023/10/19/microsoft-budet-ispolzovat-... около 1,75 млн песен или около 3500 фильмов в формате HD в куске стекла размером с ладонь.

 

Ссылка на первоисточник
наверх
Новости СМИ2