На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

Хайтек+

23 подписчика

Свежие комментарии

  • Егор Горшков
    А почему бы и да, как говорится.Храните биткоины ...
  • Цуркан Арк
    Сказки, на три недели, а потом полгода жечь щепу?В Финляндии подкл...
  • Иван Вакула
    В России после распада СССР и стараниями либеральной власти образование перевели на западные методики, что из этого п...Различия в успева...

Разработан новый тип транзисторов для смартфонов будущего

Транзистор на самом базовом уровне - нечто вроде переключателя, пропускающего или задерживающего электрический ток. Изобретение ученых из США - это ферроэлектрический транзистор с высокой подвижностью электронов (ФеТВПЭ). Его характеристики делают эту разновидность ТВПЭ пригодной для усиления исходящих сигналов мобильных устройств, https://www.sciencedaily.com/releases/2023/03/230308171709.h... Science Daily.

Ферроэлектрические полупроводники выделяются среди прочих тех, что могут выдерживать электрическую поляризацию, наподобие электрической версии магнита. Но в отличие от него, они могут менять положительные и отрицательные стороны. В контексте транзисторов это означает повышенную функциональность.

Ученые смогли сделать ФеТВПЭ реконфигурируемым. Это означает, что он может действовать как несколько устройств, что позволяет уменьшить размер схемы и снизить стоимость и энергопотребление. В качестве основной области применения разработчики рассматривают радиочастотную и микроволновую связь, а также устройства памяти для электроники и компьютеров будущего.

Изготовлен ФеТВПЭ из нитрида алюминия, обогащенного скандием. Это первый ферроэлектрический полупроводник на основе нитрида, что позволяет интегрировать его с полупроводниками нового поколения на нитриде галлия. Они обеспечивают в 100 раз большую скорость, чем кремний, при высокой эффективности и низкой стоимости. Выращен новый транзистор при помощи технологии молекулярно-пучковой эпитаксии.

При помощи лазерных импульсов международная команда исследователей первой https://hightech.plus/2023/02/22/tranzistor-iz-edinstvennoi-... заставить фуллерен вмешаться в движение электрона предсказуемым образом. В зависимости от настроек лазера этот процесс может происходить на три-шесть порядков быстрее, чем переключение в микрочипах.

 

Ссылка на первоисточник
наверх
Новости СМИ2